SH8K26 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SH8K26  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SH8K26

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SH8K26 даташит

 ..1. Size:2672K  rohm
 sh8k26.pdf pdf_icon

SH8K26

SH8K26 Datasheet 40V Nch+Nch Middle MOSFET lOutline l SOP8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 38m ID 6.0A PD 2.0W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging spe

 9.1. Size:141K  rohm
 sh8k22.pdf pdf_icon

SH8K26

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K22 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter, Inverter Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package Taping Type C

 9.2. Size:2648K  rohm
 sh8k25.pdf pdf_icon

SH8K26

SH8K25 Datasheet 40V Nch+Nch Middle MOSFET lOutline l SOP8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 85m ID 4A PD 2W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging specifi

Другие IGBT... SH8J65, SH8K11, SH8K12, SH8K13, SH8K14, SH8K15, SH8K22, SH8K25, EMB04N03H, SH8K32, SH8M11, SH8M12, SH8M13, SH8M14, SH8M24, SH8M41, SHD217302A