SH8M13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SH8M13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 5 nC
   Tiempo de subida (tr): 16 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SH8M13

SH8M13 Datasheet (PDF)

..1. Size:1158K rohm
sh8m13.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETSH8M13 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/SOP8Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (4)3) Small Surface Mount Package (SOP8). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)TypeCode

9.1. Size:601K rohm
sh8m14.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M14 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET/Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High power package(SOP8).(1) (4)3) Low voltage drive(4V drive). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)TypeCode TBBasic o

9.2. Size:583K rohm
sh8m11.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M11 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET/Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High power package(SOP8).(1) (4)3) Low voltage drive(4V drive). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TBBasic o

9.3. Size:530K rohm
sh8m12.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M12 StructureDimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET/Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High power package(SOP8).(1) (4)3) Low voltage drive(4V drive). ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping2 2(1) Tr1 Sou

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: