Справочник MOSFET. SH8M13

 

SH8M13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SH8M13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SH8M13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  rohm
sh8m13.pdfpdf_icon

SH8M13

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETSH8M13 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/SOP8Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (4)3) Small Surface Mount Package (SOP8). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)TypeCode

 9.1. Size:601K  rohm
sh8m14.pdfpdf_icon

SH8M13

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M14 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET/Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High power package(SOP8).(1) (4)3) Low voltage drive(4V drive). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)TypeCode TBBasic o

 9.2. Size:583K  rohm
sh8m11.pdfpdf_icon

SH8M13

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M11 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET/Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High power package(SOP8).(1) (4)3) Low voltage drive(4V drive). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TBBasic o

 9.3. Size:530K  rohm
sh8m12.pdfpdf_icon

SH8M13

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M12 StructureDimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET/Silicon P-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High power package(SOP8).(1) (4)3) Low voltage drive(4V drive). ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping2 2(1) Tr1 Sou

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.