SHD226707 Todos los transistores

 

SHD226707 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SHD226707

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 29 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.049 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-257

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SHD226707 Datasheet (PDF)

1.1. shd226707.pdf Size:146K _upd-mosfet

SHD226707
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 SHD226707 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 4307, REV - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: • 100 Volt, 0.035 Ohm MOSFET • Hermetically Sealed • TO-257 Hermetic Package MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TA = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - ±20 Volts ID - - 30 Amps

2.1. shd226703.pdf Size:48K _upd-mosfet

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SHD226703 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATASHEET 4193, REV. - HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL FEATURES: 200 Volt, 0.08 Ohm, 27A MOSFET • Isolated Hermetic Metal Package • Low RDS (on) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - Volts ±20 ON-STATE DRAIN C

2.2. shd226701.pdf Size:138K _upd-mosfet

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SHD226701 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 4188, REV. A LOW RDS(on) HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL FEATURES: • 100 Volt, 0.022 Ohm, 60A MOSFET • Isolated Hermetic Metal Package • Ultra Low RDS (on) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - ±20 V

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