SHDCG225715 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SHDCG225715 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO-254
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SHDCG225715 datasheet
shdcg225715.pdf
SHD225715 SENSITRON SHDCG225715 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 4340, REV. - LOW RDS HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL FEATURES 60 Volt, 0.008 Ohm, 110A MOSFET for Glidcop version Isolated Hermetic Metal Package Ultra Low RDS (on) Available with Ceramic Seals and Glidcop leads, use part number SHDCG225715 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC =
Otros transistores... IRF7401PBF, IRF7401PBF-1, IRF7402PBF, IRF7403PBF, SHDC220455, SHDC224701, SHDC225456, SHDC225509, SKD502T, SHDG225509, SIA400EDJ, SIA406DJ, SIA408DJ, SIA411DJ, SIA413ADJ, SIA413DJ, SIA414DJ
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MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492
