SIA400EDJ Todos los transistores

 

SIA400EDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIA400EDJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6L
 

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SIA400EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  vishay
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SIA400EDJ

New ProductSiA400EDJVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.019 at VGS = 4.5 V RoHS12 New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT30 11.60.025 at VGS = 2.5 V 12SC-70 Package- Small Footprint Area Typic

 9.1. Size:180K  vishay
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SIA400EDJ

SiA408DJVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.036 at VGS = 10 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK30 0.039 at VGS = 4.5 V 4.5 7 nCSC-70 Package0.053 at VGS = 2.5 V 4.5- Small Footprint Area Compliant to

 9.2. Size:220K  vishay
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SIA400EDJ

New ProductSiA406DJVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0198 at VGS = 4.5 V 4.5 TrenchFET Power MOSFET0.0222 at VGS = 2.5 V 12 4.5 13.7 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.0264 at VGS = 1.8 V SC-70 Package4.5- Small Footprint

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History: 50N06L-TQ2-R | SSP60R105SFD2 | IPL65R310E6 | 4N90G-TF3-T | RU15P12C | HM3P10MR | R6004KNJ

 

 
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