SIA406DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA406DJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0198 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA406DJ
SIA406DJ Datasheet (PDF)
sia406dj.pdf
New ProductSiA406DJVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0198 at VGS = 4.5 V 4.5 TrenchFET Power MOSFET0.0222 at VGS = 2.5 V 12 4.5 13.7 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.0264 at VGS = 1.8 V SC-70 Package4.5- Small Footprint
sia400edj.pdf
New ProductSiA400EDJVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.019 at VGS = 4.5 V RoHS12 New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT30 11.60.025 at VGS = 2.5 V 12SC-70 Package- Small Footprint Area Typic
sia408dj.pdf
SiA408DJVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.036 at VGS = 10 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK30 0.039 at VGS = 4.5 V 4.5 7 nCSC-70 Package0.053 at VGS = 2.5 V 4.5- Small Footprint Area Compliant to
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100