SIA406DJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA406DJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0198 Ohm

Encapsulados: SC-70-6L

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SIA406DJ datasheet

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SIA406DJ

New Product SiA406DJ Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0198 at VGS = 4.5 V 4.5 TrenchFET Power MOSFET 0.0222 at VGS = 2.5 V 12 4.5 13.7 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.0264 at VGS = 1.8 V SC-70 Package 4.5 - Small Footprint

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SIA406DJ

New Product SiA400EDJ Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.019 at VGS = 4.5 V RoHS 12 New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT 30 11.6 0.025 at VGS = 2.5 V 12 SC-70 Package - Small Footprint Area Typic

 9.2. Size:180K  vishay
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SIA406DJ

SiA408DJ Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.036 at VGS = 10 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK 30 0.039 at VGS = 4.5 V 4.5 7 nC SC-70 Package 0.053 at VGS = 2.5 V 4.5 - Small Footprint Area Compliant to

Otros transistores... IRF7403PBF, SHDC220455, SHDC224701, SHDC225456, SHDC225509, SHDCG225715, SHDG225509, SIA400EDJ, AON7410, SIA408DJ, SIA411DJ, SIA413ADJ, SIA413DJ, SIA414DJ, SIA415DJ, SIA416DJ, SIA417DJ