SIA426DJ Todos los transistores

 

SIA426DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIA426DJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0236 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIA426DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  vishay
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SIA426DJ

New ProductSiA426DJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0236 at VGS = 10 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.0263 at VGS = 4.5 V 20 4.5 7.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.0361 at VGS = 2.5 V - Small Footprint Area4.5- Low On-Resistanc

 9.1. Size:200K  vishay
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SIA426DJ

SiA421DJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAKSC-70 Package0.035 at VGS = - 10 V - 12a- 30 10 nC- Small Footprint Area0.056 at VGS = - 4.5 V - 12a- Low On-Resistance Material categorization:For definitions of compliance please

 9.2. Size:222K  vishay
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SIA426DJ

New ProductSiA427ADJVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package0.016 at VGS = - 4.5 V - 12a- Small Footprint Area0.0215 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance 100 % Rg Tested- 8 0.026 at VGS = - 1.8 V - 12a 30 nC

 9.3. Size:200K  vishay
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SIA426DJ

New ProductSiA429DJTVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0205 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK0.027 at VGS = - 2.5 V - 12aSC-70 Package- 20 24.5 nC0.036 at VGS = - 1.8 V - 12a - S

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History: SWMN7N65K | IRFZ24NLPBF | S60N15RP | IRFS143 | FDB8443 | FQPF4P40 | 2SK2580

 

 
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