SIA429DJT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA429DJT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm

Encapsulados: SC-70-6L

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SIA429DJT datasheet

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SIA429DJT

New Product SiA429DJT Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0205 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.027 at VGS = - 2.5 V - 12a SC-70 Package - 20 24.5 nC 0.036 at VGS = - 1.8 V - 12a - S

 6.1. Size:154K  vishay
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SIA429DJT

New Product SiA429DJT Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0205 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.027 at VGS = - 2.5 V - 12a SC-70 Package - 20 24.5 nC 0.036 at VGS = - 1.8 V - 12a - S

 9.1. Size:200K  vishay
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SIA429DJT

SiA421DJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.035 at VGS = - 10 V - 12a - 30 10 nC - Small Footprint Area 0.056 at VGS = - 4.5 V - 12a - Low On-Resistance Material categorization For definitions of compliance please

 9.2. Size:222K  vishay
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SIA429DJT

New Product SiA427ADJ Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.016 at VGS = - 4.5 V - 12a - Small Footprint Area 0.0215 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance 100 % Rg Tested - 8 0.026 at VGS = - 1.8 V - 12a 30 nC

Otros transistores... SIA417DJ, SIA418DJ, SIA419DJ, SIA421DJ, SIA425EDJ, SIA426DJ, SIA427ADJ, SIA427DJ, IRFP250, SIA430DJ, SIA430DJT, SIA431DJ, SIA432DJ, SIA433EDJ, SIA436DJ, SIA437DJ, SIA438EDJ