SIA433EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA433EDJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.7 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SC-70-6L

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SIA433EDJ datasheet

 ..1. Size:223K  vishay
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SIA433EDJ

New Product SiA433EDJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 4.5 V - 12a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK 0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 - 12a 20 nC SC-70 Package 0.065 at VGS = - 1.8 V - 4 - Small Fo

 ..2. Size:1110K  cn vbsemi
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SIA433EDJ

SIA433EDJ www.VBsemi.tw P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced DFN2X2 Package 0.030 at VGS = - 4.5 V -10a - 20 18 nC - Small Footprint Area 0.040 at VGS = - 2.5 V -9a - Low On-Resistance APPLICATIONS Load Switch, PA Switch, and Battery Switch for Portable Devi

 6.1. Size:221K  vishay
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SIA433EDJ

New Product SiA433EDJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 4.5 V - 12a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK 0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 - 12a 20 nC SC-70 Package 0.065 at VGS = - 1.8 V - 4 - Small Fo

 9.1. Size:216K  vishay
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SIA433EDJ

New Product SiA431DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK 0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package - 12a - Small Footprint Area 0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance - 20 24 nC 0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested 0

Otros transistores... SIA426DJ, SIA427ADJ, SIA427DJ, SIA429DJT, SIA430DJ, SIA430DJT, SIA431DJ, SIA432DJ, RFP50N06, SIA436DJ, SIA437DJ, SIA438EDJ, SIA439EDJ, SIA440DJ, SIA441DJ, SIA443DJ, SIA444DJT