Справочник MOSFET. SIA433EDJ

 

SIA433EDJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA433EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA433EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  vishay
 sia433edj.pdf pdf_icon

SIA433EDJ

New ProductSiA433EDJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 4.5 V - 12a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK0.026 at VGS = - 2.5 V - 20- 12a 20 nCSC-70 Package0.065 at VGS = - 1.8 V - 4- Small Fo

 ..2. Size:1110K  cn vbsemi
 sia433edj.pdf pdf_icon

SIA433EDJ

SIA433EDJwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced DFN2X2Package0.030 at VGS = - 4.5 V -10a- 20 18 nC- Small Footprint Area0.040 at VGS = - 2.5 V -9a- Low On-ResistanceAPPLICATIONS Load Switch, PA Switch, and Battery Switch for PortableDevi

 6.1. Size:221K  vishay
 sia433ed.pdf pdf_icon

SIA433EDJ

New ProductSiA433EDJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 4.5 V - 12a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK0.026 at VGS = - 2.5 V - 20- 12a 20 nCSC-70 Package0.065 at VGS = - 1.8 V - 4- Small Fo

 9.1. Size:216K  vishay
 sia431dj.pdf pdf_icon

SIA433EDJ

New ProductSiA431DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package- 12a- Small Footprint Area0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a- Low On-Resistance- 20 24 nC0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RSJ400N10 | LPM9926SOF | PH1930AL | SM7302ESKP | TK560A65Y | CHM4948JGP | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.