SIA433EDJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIA433EDJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6L
Аналог (замена) для SIA433EDJ
SIA433EDJ Datasheet (PDF)
sia433edj.pdf

New ProductSiA433EDJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 4.5 V - 12a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK0.026 at VGS = - 2.5 V - 20- 12a 20 nCSC-70 Package0.065 at VGS = - 1.8 V - 4- Small Fo
sia433edj.pdf

SIA433EDJwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced DFN2X2Package0.030 at VGS = - 4.5 V -10a- 20 18 nC- Small Footprint Area0.040 at VGS = - 2.5 V -9a- Low On-ResistanceAPPLICATIONS Load Switch, PA Switch, and Battery Switch for PortableDevi
sia433ed.pdf

New ProductSiA433EDJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 4.5 V - 12a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK0.026 at VGS = - 2.5 V - 20- 12a 20 nCSC-70 Package0.065 at VGS = - 1.8 V - 4- Small Fo
sia431dj.pdf

New ProductSiA431DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package- 12a- Small Footprint Area0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a- Low On-Resistance- 20 24 nC0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested0
Другие MOSFET... SIA426DJ , SIA427ADJ , SIA427DJ , SIA429DJT , SIA430DJ , SIA430DJT , SIA431DJ , SIA432DJ , IRF2807 , SIA436DJ , SIA437DJ , SIA438EDJ , SIA439EDJ , SIA440DJ , SIA441DJ , SIA443DJ , SIA444DJT .
History: SVGP104R5NASTR | QM2403J | FQA5N90 | FQA65N06 | 2N6766JTXV | QM2605V | HY4008M
History: SVGP104R5NASTR | QM2403J | FQA5N90 | FQA65N06 | 2N6766JTXV | QM2605V | HY4008M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor