SIA439EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA439EDJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm

Encapsulados: SC-70-6L

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SIA439EDJ datasheet

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SIA439EDJ

SiA439EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.0165 at VGS = - 4.5 V - 28 - Small Footprint Area 0.0180 at VGS = - 3.7 V - 27 - Low On-Resistance - 20 26.7 nC 0.0235 at VGS = - 2.5 V - 23 100 % Rg and UIS

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SIA439EDJ

New Product SiA431DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK 0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package - 12a - Small Footprint Area 0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance - 20 24 nC 0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested 0

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SIA439EDJ

SiA437DJ www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) a Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 0.0145 at VGS = -4.5 V -29.7 - Small footprint area 0.0205 at VGS = -2.5 V -25 -20 28 nC - Low On-Resistance 0.0330 at VGS = -1.8 V -19.7 0.0650 at VGS = -1.5 V -4

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SIA439EDJ

New Product SiA438EDJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 6 20 3.5 nC SC-70 Package 0.063 at VGS = 2.5 V 6 - Small Footprint Area - Low On-Resistance Typical ESD Pr

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