Справочник MOSFET. SIA439EDJ

 

SIA439EDJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA439EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L
 

 Аналог (замена) для SIA439EDJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA439EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  vishay
 sia439edj.pdf pdf_icon

SIA439EDJ

SiA439EDJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package0.0165 at VGS = - 4.5 V - 28- Small Footprint Area0.0180 at VGS = - 3.7 V - 27- Low On-Resistance- 20 26.7 nC0.0235 at VGS = - 2.5 V - 23 100 % Rg and UIS

 9.1. Size:216K  vishay
 sia431dj.pdf pdf_icon

SIA439EDJ

New ProductSiA431DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package- 12a- Small Footprint Area0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a- Low On-Resistance- 20 24 nC0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested0

 9.2. Size:253K  vishay
 sia437dj.pdf pdf_icon

SIA439EDJ

SiA437DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) a Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0145 at VGS = -4.5 V -29.7- Small footprint area0.0205 at VGS = -2.5 V -25-20 28 nC- Low On-Resistance0.0330 at VGS = -1.8 V -19.70.0650 at VGS = -1.5 V -4

 9.3. Size:192K  vishay
 sia438ed.pdf pdf_icon

SIA439EDJ

New ProductSiA438EDJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-70 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIA430DJ , SIA430DJT , SIA431DJ , SIA432DJ , SIA433EDJ , SIA436DJ , SIA437DJ , SIA438EDJ , 2N60 , SIA440DJ , SIA441DJ , SIA443DJ , SIA444DJT , SIA445EDJ , SIA446DJ , SIA447DJ , SIA448DJ .

History: APT40M35JVFR | OSG60R022HT3ZF | 2SK2793 | BF1208D | CJAC10TH10 | TPM8205ATS6 | IRFI840GLCPBF

 

 
Back to Top

 


 
.