SIA459EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA459EDJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SC-70-6L

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SIA459EDJ datasheet

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SIA459EDJ

SiA459EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.0350 at VGS = - 4.5 V - 9 - Small Footprint Area - 20 0.0395 at VGS = - 3.7 V - 9 10 nC - Low On-Resistance 0.0620 at VGS = - 2.5 V - 9 100 % Rg Tested T

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SIA459EDJ

SiA453EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.0185 at VGS = - 10 V - 24 - Small Footprint Area 0.0235 at VGS = - 4.5 V - 21 - Low On-Resistance - 30 21 nC 0.0260 at VGS = - 3.7 V - 20 100 % Rg and UIS Tes

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SIA459EDJ

New Product SiA450DJ Vishay Siliconix N-Channel 240-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 2.9 at VGS = 10 V 1.52 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 2.95 at VGS = 4.5 V 240 1.5 2.54 nC COMPLIANT SC-70 Package 3.5 at VGS = 2.5 V 1.44 - Small Footprint Area - Low On-Resistance AP

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SIA459EDJ

New Product SiA456DJ Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 1.38 at VGS = 4.5 V 2.6 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS COMPLIANT SC-70 Package 1.50 at VGS = 2.5 V 200 2.5 5 nC - Small Footprint Area 3.50 at VGS = 1.8 V 0.5 - Low On-Resistance

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