SIA519EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA519EDJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SC-70-6

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SIA519EDJ datasheet

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SIA519EDJ

New Product SiA519EDJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection N-Channel 2000 V 0.090 at VGS = - 4.5 V - 4.5a P-C

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SIA519EDJ

New Product SiA519EDJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection N-Channel 2000 V 0.090 at VGS = - 4.5 V - 4.5a P-C

 8.1. Size:434K  shenzhen
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SIA519EDJ

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SiA519 N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 0.040 at VGS = 4.5 V 4.2 N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 3.3 0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.9 P-Channel - 20 5.3 nC 0.137 at VGS = - 2.5 V - 2.3 D1 S2 1 S1 2 G1 3 D1 D2 G1 D1 G2 D2 6 G2 5 2.05 mm 2.05 mm S2

 9.1. Size:266K  vishay
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SIA519EDJ

New Product SiA517DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.029 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs 0.034 at VGS = 2.5 V 4.5a N-Channel 12 5.6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a SC-70 Packag

Otros transistores... SIA453EDJ, SIA456DJ, SIA459EDJ, SIA461DJ, SIA462DJ, SIA466EDJ, SIA483DJ, SIA485DJ, IRFB7545, SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ