SIA519EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA519EDJ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: SC-70-6
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SIA519EDJ datasheet
sia519edj.pdf
New Product SiA519EDJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection N-Channel 2000 V 0.090 at VGS = - 4.5 V - 4.5a P-C
sia519ed.pdf
New Product SiA519EDJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection N-Channel 2000 V 0.090 at VGS = - 4.5 V - 4.5a P-C
sia519.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SiA519 N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 0.040 at VGS = 4.5 V 4.2 N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 3.3 0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.9 P-Channel - 20 5.3 nC 0.137 at VGS = - 2.5 V - 2.3 D1 S2 1 S1 2 G1 3 D1 D2 G1 D1 G2 D2 6 G2 5 2.05 mm 2.05 mm S2
sia517dj.pdf
New Product SiA517DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.029 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs 0.034 at VGS = 2.5 V 4.5a N-Channel 12 5.6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a SC-70 Packag
Otros transistores... SIA453EDJ, SIA456DJ, SIA459EDJ, SIA461DJ, SIA462DJ, SIA466EDJ, SIA483DJ, SIA485DJ, IRFB7545, SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ
History: HGD090N06SL
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
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