SIA519EDJ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIA519EDJ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SIA519EDJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIA519EDJ даташит
sia519edj.pdf
New Product SiA519EDJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection N-Channel 2000 V 0.090 at VGS = - 4.5 V - 4.5a P-C
sia519ed.pdf
New Product SiA519EDJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection N-Channel 2000 V 0.090 at VGS = - 4.5 V - 4.5a P-C
sia519.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SiA519 N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 0.040 at VGS = 4.5 V 4.2 N-Channel 20 3.7 nC 0.065 at VGS = 2.5 V 3.3 0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.9 P-Channel - 20 5.3 nC 0.137 at VGS = - 2.5 V - 2.3 D1 S2 1 S1 2 G1 3 D1 D2 G1 D1 G2 D2 6 G2 5 2.05 mm 2.05 mm S2
sia517dj.pdf
New Product SiA517DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.029 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs 0.034 at VGS = 2.5 V 4.5a N-Channel 12 5.6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a SC-70 Packag
Другие IGBT... SIA453EDJ, SIA456DJ, SIA459EDJ, SIA461DJ, SIA462DJ, SIA466EDJ, SIA483DJ, SIA485DJ, IRFB7545, SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ
History: HGD090N06SL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618








