SIA533EDJ Todos los transistores

 

SIA533EDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIA533EDJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6
 

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SIA533EDJ Datasheet (PDF)

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SIA533EDJ

New ProductSiA533EDJVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs0.040 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection: N-Channel 1500 VN-Channel 12 5.6 nC0.050 at VGS = 1.8 V P-Channel 1000

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SIA533EDJ

New ProductSiA533EDJVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs0.040 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection: N-Channel 1500 VN-Channel 12 5.6 nC0.050 at VGS = 1.8 V P-Channel 1000

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SIA533EDJ

SiA537EDJwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Typical ESD protection: N-channel 2400 V0.028 at VGS = 4.5 V 4.5 aP-channel 2000 VN-Channel 12 0.033 at VGS = 2.5 V 4.5 a 6.2 nC 100 % Rg tested0.042 at VGS = 1.8 V 4.5 a Ma

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