SIA533EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA533EDJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: SC-70-6

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SIA533EDJ datasheet

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SIA533EDJ

New Product SiA533EDJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.034 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs 0.040 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection N-Channel 1500 V N-Channel 12 5.6 nC 0.050 at VGS = 1.8 V P-Channel 1000

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SIA533EDJ

New Product SiA533EDJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.034 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs 0.040 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection N-Channel 1500 V N-Channel 12 5.6 nC 0.050 at VGS = 1.8 V P-Channel 1000

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SIA533EDJ

SiA537EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Typical ESD protection N-channel 2400 V 0.028 at VGS = 4.5 V 4.5 a P-channel 2000 V N-Channel 12 0.033 at VGS = 2.5 V 4.5 a 6.2 nC 100 % Rg tested 0.042 at VGS = 1.8 V 4.5 a Ma

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