SIA537EDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIA537EDJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.9 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 12 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA537EDJ

SIA537EDJ Datasheet (PDF)

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SiA537EDJwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Typical ESD protection: N-channel 2400 V0.028 at VGS = 4.5 V 4.5 aP-channel 2000 VN-Channel 12 0.033 at VGS = 2.5 V 4.5 a 6.2 nC 100 % Rg tested0.042 at VGS = 1.8 V 4.5 a Ma

9.1. Size:272K vishay
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New ProductSiA533EDJVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs0.040 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection: N-Channel 1500 VN-Channel 12 5.6 nC0.050 at VGS = 1.8 V P-Channel 1000

9.2. Size:273K vishay
sia533edj.pdf