SIA537EDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA537EDJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70-6L
Búsqueda de reemplazo de SIA537EDJ MOSFET
SIA537EDJ Datasheet (PDF)
sia537edj.pdf

SiA537EDJwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Typical ESD protection: N-channel 2400 V0.028 at VGS = 4.5 V 4.5 aP-channel 2000 VN-Channel 12 0.033 at VGS = 2.5 V 4.5 a 6.2 nC 100 % Rg tested0.042 at VGS = 1.8 V 4.5 a Ma
sia533ed.pdf

New ProductSiA533EDJVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs0.040 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection: N-Channel 1500 VN-Channel 12 5.6 nC0.050 at VGS = 1.8 V P-Channel 1000
sia533edj.pdf

New ProductSiA533EDJVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs0.040 at VGS = 2.5 V 4.5a Typical ESD Protection: N-Channel 1500 VN-Channel 12 5.6 nC0.050 at VGS = 1.8 V P-Channel 1000
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History: IXTH150N17T | IXTH30N50P
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