SIA814DJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA814DJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm

Encapsulados: SC-70-6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SIA814DJ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIA814DJ datasheet

 ..1. Size:241K  vishay
sia814dj.pdf pdf_icon

SIA814DJ

New Product SiA814DJ Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.061 at VGS = 10 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 30 0.072 at VGS = 4.5 V 4.5 3.2 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.110 at VGS = 2.5 V 4.5 - Smal

 9.1. Size:213K  vishay
sia810dj.pdf pdf_icon

SIA814DJ

New Product SiA810DJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 20 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 4.1 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.077 at VGS = 1.8 V 4.5 - Sma

 9.2. Size:319K  vishay
sia817edj.pdf pdf_icon

SIA814DJ

New Product SiA817EDJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET Qg Thermally Enhanced PowerPAK VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) (Typ.) SC-70 Package 0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a - Small Footprint Area 0.080 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - Low On-Resistance - 30 0.092 at VGS = - 3.7

 9.3. Size:213K  vishay
sia811dj.pdf pdf_icon

SIA814DJ

New Product SiA811DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5 RoHS New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT - 20 0.131 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 SC-70 Package 0.185 at VGS = - 1.8 V - 4.5

Otros transistores... SIA519EDJ, SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, 60N06, SIA817EDJ, SIA850DJ, SIA906EDJ, SIA907EDJT, SIA910EDJ, SIA911ADJ, SIA913ADJ, SIA914ADJ