SIA817EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA817EDJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SC-70-6

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SIA817EDJ datasheet

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SIA817EDJ

New Product SiA817EDJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET Qg Thermally Enhanced PowerPAK VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) (Typ.) SC-70 Package 0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a - Small Footprint Area 0.080 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - Low On-Resistance - 30 0.092 at VGS = - 3.7

 9.1. Size:213K  vishay
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SIA817EDJ

New Product SiA810DJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 20 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 4.1 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.077 at VGS = 1.8 V 4.5 - Sma

 9.2. Size:213K  vishay
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SIA817EDJ

New Product SiA811DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5 RoHS New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT - 20 0.131 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 SC-70 Package 0.185 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 9.3. Size:208K  vishay
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SIA817EDJ

New Product SiA811ADJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS - 20 0.155 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 COMPLIANT SC-70 Package 0.205 at VGS = - 1.8 V - 4.5

Otros transistores... SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ, IRFP064N, SIA850DJ, SIA906EDJ, SIA907EDJT, SIA910EDJ, SIA911ADJ, SIA913ADJ, SIA914ADJ, SIA915DJ