Справочник MOSFET. SIA817EDJ

 

SIA817EDJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA817EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA817EDJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA817EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  vishay
 sia817edj.pdf pdf_icon

SIA817EDJ

New ProductSiA817EDJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFETQg Thermally Enhanced PowerPAKVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)(Typ.)SC-70 Package0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a- Small Footprint Area0.080 at VGS = - 4.5 V - 4.5a- Low On-Resistance- 300.092 at VGS = - 3.7

 9.1. Size:213K  vishay
 sia810dj.pdf pdf_icon

SIA817EDJ

New ProductSiA810DJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS20 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 4.1 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.077 at VGS = 1.8 V 4.5- Sma

 9.2. Size:213K  vishay
 sia811dj.pdf pdf_icon

SIA817EDJ

New ProductSiA811DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5RoHS New Thermally Enhanced PowerPAKCOMPLIANT- 20 0.131 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC- 4.5SC-70 Package0.185 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 9.3. Size:208K  vishay
 sia811.pdf pdf_icon

SIA817EDJ

New ProductSiA811ADJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS- 20 0.155 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC- 4.5COMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - 4.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIA527DJ , SIA533EDJ , SIA537EDJ , SIA810DJ , SIA811ADJ , SIA811DJ , SIA813DJ , SIA814DJ , 5N50 , SIA850DJ , SIA906EDJ , SIA907EDJT , SIA910EDJ , SIA911ADJ , SIA913ADJ , SIA914ADJ , SIA915DJ .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.