SIA817EDJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA817EDJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA817EDJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA817EDJ даташит

 ..1. Size:319K  vishay
 sia817edj.pdf pdf_icon

SIA817EDJ

New Product SiA817EDJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET Qg Thermally Enhanced PowerPAK VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) (Typ.) SC-70 Package 0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a - Small Footprint Area 0.080 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - Low On-Resistance - 30 0.092 at VGS = - 3.7

 9.1. Size:213K  vishay
 sia810dj.pdf pdf_icon

SIA817EDJ

New Product SiA810DJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 20 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 4.1 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.077 at VGS = 1.8 V 4.5 - Sma

 9.2. Size:213K  vishay
 sia811dj.pdf pdf_icon

SIA817EDJ

New Product SiA811DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5 RoHS New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT - 20 0.131 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 SC-70 Package 0.185 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 9.3. Size:208K  vishay
 sia811.pdf pdf_icon

SIA817EDJ

New Product SiA811ADJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS - 20 0.155 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 COMPLIANT SC-70 Package 0.205 at VGS = - 1.8 V - 4.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ, IRFP064N, SIA850DJ, SIA906EDJ, SIA907EDJT, SIA910EDJ, SIA911ADJ, SIA913ADJ, SIA914ADJ, SIA915DJ