SIA906EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA906EDJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: SC-70-6

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SIA906EDJ datasheet

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SIA906EDJ

New Product SiA906EDJ Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 4.5 20 3.5 nC SC-70 Package 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 - Small Footprint Area - Low On-Resistance Typic

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SIA906EDJ

New Product SiA906EDJ Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 4.5 20 3.5 nC SC-70 Package 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 - Small Footprint Area - Low On-Resistance Typic

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SIA906EDJ

SiA907EDJT Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.057 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - 20 4.9 nC New Thermally Enhanced Thin PowerPAK 0.095 at VGS = - 2.5 V - 4.5a SC-70 Package - Small Footprint Area - Low On-Res

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