SIA906EDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIA906EDJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA906EDJ

SIA906EDJ Datasheet (PDF)

..1. Size:226K vishay
sia906edj.pdf

New ProductSiA906EDJVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK4.520 3.5 nCSC-70 Package0.063 at VGS = 2.5 V 4.5- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typic

6.1. Size:225K vishay
sia906ed.pdf

9.1. Size:192K vishay
sia907edjt.pdf

SiA907EDJTVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.057 at VGS = - 4.5 V - 4.5a- 20 4.9 nC New Thermally Enhanced Thin PowerPAK 0.095 at VGS = - 2.5 V - 4.5aSC-70 Package- Small Footprint Area- Low On-Res

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Liste

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