SIA906EDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIA906EDJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.9 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 63 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA906EDJ

SIA906EDJ Datasheet (PDF)

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sia906edj.pdf

New ProductSiA906EDJVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK4.520 3.5 nCSC-70 Package0.063 at VGS = 2.5 V 4.5- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typic

6.1. Size:225K vishay
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9.1. Size:192K vishay
sia907edjt.pdf

SiA907EDJTVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.057 at VGS = - 4.5 V - 4.5a- 20 4.9 nC New Thermally Enhanced Thin PowerPAK 0.095 at VGS = - 2.5 V - 4.5aSC-70 Package- Small Footprint Area- Low On-Res

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Liste

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