SIB406EDK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIB406EDK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIB406EDK

SIB406EDK Datasheet (PDF)

..1. Size:222K vishay
sib406edk.pdf

New ProductSiB406EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-75 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr

6.1. Size:220K vishay
sib406ed.pdf

9.1. Size:224K vishay
sib408dk.pdf

New ProductSiB408DKVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 7a TrenchFET Power MOSFET30 2.9 nC0.050 at VGS = 4.5 V 7a New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance 100

9.2. Size:189K vishay
sib404dk.pdf

New ProductSiB404DKVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.019 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK12 9.6 nC0.026 at VGS = 1.8 V 9SC-75 Package- Small Footprint Area0.065

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Liste

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