SIB406EDK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIB406EDK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.95 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: SC-75-6L

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SIB406EDK datasheet

 ..1. Size:222K  vishay
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SIB406EDK

New Product SiB406EDK Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 6 20 3.5 nC SC-75 Package 0.063 at VGS = 2.5 V 6 - Small Footprint Area - Low On-Resistance Typical ESD Pr

 6.1. Size:220K  vishay
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SIB406EDK

New Product SiB406EDK Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 6 20 3.5 nC SC-75 Package 0.063 at VGS = 2.5 V 6 - Small Footprint Area - Low On-Resistance Typical ESD Pr

 9.1. Size:224K  vishay
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SIB406EDK

New Product SiB408DK Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 10 V 7a TrenchFET Power MOSFET 30 2.9 nC 0.050 at VGS = 4.5 V 7a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance 100

 9.2. Size:189K  vishay
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SIB406EDK

New Product SiB404DK Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a Definition 0.019 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK 12 9.6 nC 0.026 at VGS = 1.8 V 9 SC-75 Package - Small Footprint Area 0.065

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