SIB406EDK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIB406EDK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.95 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: SC-75-6L
SIB406EDK Datasheet (PDF)
sib406edk.pdf

New ProductSiB406EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-75 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr
sib406ed.pdf

New ProductSiB406EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-75 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr
sib408dk.pdf

New ProductSiB408DKVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 7a TrenchFET Power MOSFET30 2.9 nC0.050 at VGS = 4.5 V 7a New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance 100
sib404dk.pdf

New ProductSiB404DKVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.019 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK12 9.6 nC0.026 at VGS = 1.8 V 9SC-75 Package- Small Footprint Area0.065
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: UTT30P06G-TQ2-T | IPP100N12S3-05 | IRFU13N20D | NCE70N290K | SI5N60L-TN3-T | HUFA75329D3
History: UTT30P06G-TQ2-T | IPP100N12S3-05 | IRFU13N20D | NCE70N290K | SI5N60L-TN3-T | HUFA75329D3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики