SIB414DK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIB414DK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SC-75-6L

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIB414DK datasheet

 ..1. Size:224K  vishay
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SIB414DK

New Product SiB414DK Vishay Siliconix N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.026 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.030 at VGS = 2.5 V COMPLIANT 9a SC-75 Package - Small Footprint Area 0.037 at VGS = 1.8 V 8 9a 8.6 nC - Low On-Resistance 0.

 9.1. Size:223K  vishay
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SIB414DK

New Product SiB412DK Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.034 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.040 at VGS = 2.5 V 20 9a 6.14 nC COMPLIANT SC-75 Package 0.054 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area 9a - Low On-Resistance A

 9.2. Size:223K  vishay
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SIB414DK

New Product SiB413DK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.075 at VGS = - 4.5 V - 9 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS - 20 4.56 nC 0.143 at VGS = - 2.5 V - 7.8 COMPLIANT SC-75 Package - Small Footprint Area APPLICATIONS Load Switch, PA Switc

 9.3. Size:218K  vishay
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SIB414DK

SiB417AEDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)g Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.032 at VGS = - 4.5 V - 9a SC-75 Package 0.045 at VGS = - 2.5 V - Small Footprint Area - 9a - Low On-Resistance - 8 0.063 at VGS = - 1.8 V - 9a 11.3 nC 100 % Rg Tested 0.120 at VG

Otros transistores... SIA975DJ, SIB404DK, SIB406EDK, SIB408DK, SIB410DK, SIB411DK, SIB412DK, SIB413DK, AON6414A, SIB415DK, SIB417AEDK, SIB417DK, SIB417EDK, SIB419DK, SIB422EDK, SIB433EDK, SIB437EDKT