SIB414DK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIB414DK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-75-6L
Búsqueda de reemplazo de SIB414DK MOSFET
SIB414DK Datasheet (PDF)
sib414dk.pdf

New ProductSiB414DKVishay SiliconixN-Channel 1.2-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.026 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.030 at VGS = 2.5 V COMPLIANT9aSC-75 Package- Small Footprint Area0.037 at VGS = 1.8 V 89a 8.6 nC- Low On-Resistance0.
sib412dk.pdf

New ProductSiB412DKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.034 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.040 at VGS = 2.5 V 209a 6.14 nCCOMPLIANTSC-75 Package0.054 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area9a- Low On-ResistanceA
sib413dk.pdf

New ProductSiB413DKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.075 at VGS = - 4.5 V - 9 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS- 20 4.56 nC0.143 at VGS = - 2.5 V - 7.8 COMPLIANTSC-75 Package- Small Footprint AreaAPPLICATIONS Load Switch, PA Switc
sib417aedk.pdf

SiB417AEDKVishay SiliconixP-Channel 1.2 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)g Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK0.032 at VGS = - 4.5 V - 9a SC-75 Package0.045 at VGS = - 2.5 V - Small Footprint Area- 9a- Low On-Resistance- 8 0.063 at VGS = - 1.8 V - 9a 11.3 nC 100 % Rg Tested0.120 at VG
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