SIB414DK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIB414DK 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: SC-75-6L
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SIB414DK datasheet
sib414dk.pdf
New Product SiB414DK Vishay Siliconix N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.026 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.030 at VGS = 2.5 V COMPLIANT 9a SC-75 Package - Small Footprint Area 0.037 at VGS = 1.8 V 8 9a 8.6 nC - Low On-Resistance 0.
sib412dk.pdf
New Product SiB412DK Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.034 at VGS = 4.5 V 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.040 at VGS = 2.5 V 20 9a 6.14 nC COMPLIANT SC-75 Package 0.054 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area 9a - Low On-Resistance A
sib413dk.pdf
New Product SiB413DK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.075 at VGS = - 4.5 V - 9 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS - 20 4.56 nC 0.143 at VGS = - 2.5 V - 7.8 COMPLIANT SC-75 Package - Small Footprint Area APPLICATIONS Load Switch, PA Switc
sib417aedk.pdf
SiB417AEDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)g Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.032 at VGS = - 4.5 V - 9a SC-75 Package 0.045 at VGS = - 2.5 V - Small Footprint Area - 9a - Low On-Resistance - 8 0.063 at VGS = - 1.8 V - 9a 11.3 nC 100 % Rg Tested 0.120 at VG
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History: HGN028N08A | HGN024N06SL
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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