SIB417DK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIB417DK 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Encapsulados: SC-75-6L
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SIB417DK datasheet
sib417dk.pdf
New Product SiB417DK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.052 at VGS = - 4.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.070 at VGS = - 2.5 V COMPLIANT - 9a SC-75 Package - Small Footprint Area - 8 0.093 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.78 nC - Low On-
sib417aedk.pdf
SiB417AEDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)g Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.032 at VGS = - 4.5 V - 9a SC-75 Package 0.045 at VGS = - 2.5 V - Small Footprint Area - 9a - Low On-Resistance - 8 0.063 at VGS = - 1.8 V - 9a 11.3 nC 100 % Rg Tested 0.120 at VG
sib417edk.pdf
SiB417EDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 9.0a TrenchFET Power MOSFET 0.080 at VGS = - 2.5 V - 9.0a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package - 8 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.3 nC - Small Footprint Are
sib417ed.pdf
SiB417EDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 9.0a TrenchFET Power MOSFET 0.080 at VGS = - 2.5 V - 9.0a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package - 8 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.3 nC - Small Footprint Are
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History: SIB417EDK
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Liste
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