SIB417DK Todos los transistores

 

SIB417DK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIB417DK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L
 

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SIB417DK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
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SIB417DK

New ProductSiB417DKVishay SiliconixP-Channel 1.2-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.052 at VGS = - 4.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.070 at VGS = - 2.5 V COMPLIANT- 9aSC-75 Package- Small Footprint Area- 8 0.093 at VGS = - 1.8 V - 4.07.78 nC- Low On-

 8.1. Size:218K  vishay
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SIB417DK

SiB417AEDKVishay SiliconixP-Channel 1.2 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)g Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK0.032 at VGS = - 4.5 V - 9a SC-75 Package0.045 at VGS = - 2.5 V - Small Footprint Area- 9a- Low On-Resistance- 8 0.063 at VGS = - 1.8 V - 9a 11.3 nC 100 % Rg Tested0.120 at VG

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SIB417DK

SiB417EDKVishay SiliconixP-Channel 1.2-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V - 9.0a TrenchFET Power MOSFET0.080 at VGS = - 2.5 V - 9.0a New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- 8 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4.07.3 nC- Small Footprint Are

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SiB417EDKVishay SiliconixP-Channel 1.2-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V - 9.0a TrenchFET Power MOSFET0.080 at VGS = - 2.5 V - 9.0a New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- 8 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4.07.3 nC- Small Footprint Are

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History: NCE85H21C | SHD225628 | NTJS4405NT1

 

 
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