SIB437EDKT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIB437EDKT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIB437EDKT

SIB437EDKT Datasheet (PDF)

..1. Size:172K vishay
sib437edkt.pdf

New ProductSiB437EDKTVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.063 at VGS = - 1.8 V - 5 New Thermally Enhanced PowerPAK- 8 10.5 nC0.084 at VGS = - 1.5 V - 3SC-75 Package with ultra-thin

9.1. Size:134K vishay
sib433ed.pdf

New ProductSiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 9a 7.6 nCSC-75 Package0.105 at VGS = - 1.8 V - 5- Small Foot

9.2. Size:205K vishay
sib433edk.pdf

SiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a- Small Footprint Area- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V - 9a 7.6 nC- Low On-Resistance 100 % Rg Tested0.105 at VGS = - 1.8 V - 5 Typical ESD Pe

9.3. Size:224K vishay
sib431ed.pdf

New ProductSiB431EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f, g Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 9 TrenchFET Power MOSFET- 20 3.9 nC0.149 at VGS = - 2.5 V - 1.2 New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area Typical E

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