SIB437EDKT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIB437EDKT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 170 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: SC-75-6L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SIB437EDKT Datasheet (PDF)
sib437edkt.pdf

New ProductSiB437EDKTVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.063 at VGS = - 1.8 V - 5 New Thermally Enhanced PowerPAK- 8 10.5 nC0.084 at VGS = - 1.5 V - 3SC-75 Package with ultra-thin
sib433ed.pdf

New ProductSiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 9a 7.6 nCSC-75 Package0.105 at VGS = - 1.8 V - 5- Small Foot
sib433edk.pdf

SiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a- Small Footprint Area- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V - 9a 7.6 nC- Low On-Resistance 100 % Rg Tested0.105 at VGS = - 1.8 V - 5 Typical ESD Pe
sib431ed.pdf

New ProductSiB431EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f, g Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 9 TrenchFET Power MOSFET- 20 3.9 nC0.149 at VGS = - 2.5 V - 1.2 New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area Typical E
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRFSL3006PBF | UT100N03-Q | H01N60I | SML5022BN | 12N65KL-TA3-T | BSS131 | STP24NF10
History: IRFSL3006PBF | UT100N03-Q | H01N60I | SML5022BN | 12N65KL-TA3-T | BSS131 | STP24NF10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor