Справочник MOSFET. SIB437EDKT

 

SIB437EDKT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIB437EDKT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB437EDKT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  vishay
sib437edkt.pdfpdf_icon

SIB437EDKT

New ProductSiB437EDKTVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.063 at VGS = - 1.8 V - 5 New Thermally Enhanced PowerPAK- 8 10.5 nC0.084 at VGS = - 1.5 V - 3SC-75 Package with ultra-thin

 9.1. Size:134K  vishay
sib433ed.pdfpdf_icon

SIB437EDKT

New ProductSiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 9a 7.6 nCSC-75 Package0.105 at VGS = - 1.8 V - 5- Small Foot

 9.2. Size:205K  vishay
sib433edk.pdfpdf_icon

SIB437EDKT

SiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a- Small Footprint Area- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V - 9a 7.6 nC- Low On-Resistance 100 % Rg Tested0.105 at VGS = - 1.8 V - 5 Typical ESD Pe

 9.3. Size:224K  vishay
sib431ed.pdfpdf_icon

SIB437EDKT

New ProductSiB431EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f, g Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 9 TrenchFET Power MOSFET- 20 3.9 nC0.149 at VGS = - 2.5 V - 1.2 New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area Typical E

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFSL3006PBF | UT100N03-Q | H01N60I | SML5022BN | 12N65KL-TA3-T | BSS131 | STP24NF10

 

 
Back to Top

 


 
.