Справочник MOSFET. SIB437EDKT

 

SIB437EDKT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIB437EDKT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L
 

 Аналог (замена) для SIB437EDKT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB437EDKT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  vishay
sib437edkt.pdfpdf_icon

SIB437EDKT

New ProductSiB437EDKTVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.063 at VGS = - 1.8 V - 5 New Thermally Enhanced PowerPAK- 8 10.5 nC0.084 at VGS = - 1.5 V - 3SC-75 Package with ultra-thin

 9.1. Size:134K  vishay
sib433ed.pdfpdf_icon

SIB437EDKT

New ProductSiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 9a 7.6 nCSC-75 Package0.105 at VGS = - 1.8 V - 5- Small Foot

 9.2. Size:205K  vishay
sib433edk.pdfpdf_icon

SIB437EDKT

SiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a- Small Footprint Area- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V - 9a 7.6 nC- Low On-Resistance 100 % Rg Tested0.105 at VGS = - 1.8 V - 5 Typical ESD Pe

 9.3. Size:224K  vishay
sib431ed.pdfpdf_icon

SIB437EDKT

New ProductSiB431EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f, g Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 9 TrenchFET Power MOSFET- 20 3.9 nC0.149 at VGS = - 2.5 V - 1.2 New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area Typical E

Другие MOSFET... SIB414DK , SIB415DK , SIB417AEDK , SIB417DK , SIB417EDK , SIB419DK , SIB422EDK , SIB433EDK , K3569 , SIB441EDK , SIB452DK , SIB455EDK , SIB456DK , SIB457EDK , SIB488DK , SIB800EDK , SIB911DK .

 

 
Back to Top

 


 
.