SIB437EDKT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIB437EDKT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 170 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: SC-75-6L
Аналог (замена) для SIB437EDKT
SIB437EDKT Datasheet (PDF)
sib437edkt.pdf
New ProductSiB437EDKTVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.063 at VGS = - 1.8 V - 5 New Thermally Enhanced PowerPAK- 8 10.5 nC0.084 at VGS = - 1.5 V - 3SC-75 Package with ultra-thin
sib433ed.pdf
New ProductSiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 9a 7.6 nCSC-75 Package0.105 at VGS = - 1.8 V - 5- Small Foot
sib433edk.pdf
SiB433EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a- Small Footprint Area- 20 0.077 at VGS = - 2.5 V - 9a 7.6 nC- Low On-Resistance 100 % Rg Tested0.105 at VGS = - 1.8 V - 5 Typical ESD Pe
sib431ed.pdf
New ProductSiB431EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f, g Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 9 TrenchFET Power MOSFET- 20 3.9 nC0.149 at VGS = - 2.5 V - 1.2 New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area Typical E
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918