SIB437EDKT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIB437EDKT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: SC-75-6L

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIB437EDKT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB437EDKT даташит

 ..1. Size:172K  vishay
 sib437edkt.pdf pdf_icon

SIB437EDKT

New Product SiB437EDKT Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.034 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET 0.063 at VGS = - 1.8 V - 5 New Thermally Enhanced PowerPAK - 8 10.5 nC 0.084 at VGS = - 1.5 V - 3 SC-75 Package with ultra-thin

 9.1. Size:134K  vishay
 sib433ed.pdf pdf_icon

SIB437EDKT

New Product SiB433EDK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET - 20 0.077 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK - 9a 7.6 nC SC-75 Package 0.105 at VGS = - 1.8 V - 5 - Small Foot

 9.2. Size:205K  vishay
 sib433edk.pdf pdf_icon

SIB437EDKT

SiB433EDK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package 0.058 at VGS = - 4.5 V - 9a - Small Footprint Area - 20 0.077 at VGS = - 2.5 V - 9a 7.6 nC - Low On-Resistance 100 % Rg Tested 0.105 at VGS = - 1.8 V - 5 Typical ESD Pe

 9.3. Size:224K  vishay
 sib431ed.pdf pdf_icon

SIB437EDKT

New Product SiB431EDK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f, g Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 4.5 V - 9 TrenchFET Power MOSFET - 20 3.9 nC 0.149 at VGS = - 2.5 V - 1.2 New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package - Small Footprint Area Typical E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIB414DK, SIB415DK, SIB417AEDK, SIB417DK, SIB417EDK, SIB419DK, SIB422EDK, SIB433EDK, IRF9540, SIB441EDK, SIB452DK, SIB455EDK, SIB456DK, SIB457EDK, SIB488DK, SIB800EDK, SIB911DK