SIB452DK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIB452DK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIB452DK

SIB452DK Datasheet (PDF)

..1. Size:224K vishay
sib452dk.pdf

New ProductSiB452DKVishay SiliconixN-Channel 190-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET2.4 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS2.6 at VGS = 2.5 V 190 1.48 2.3 nCSC-75 Package COMPLIANT6.0 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area0.4- Low On-ResistanceAPPLI

9.1. Size:229K vishay
sib457ed.pdf

New ProductSiB457EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.049 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 9a- 20 13 nCSC-75 Package0.072 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small F

9.2. Size:207K vishay
sib457edk.pdf

SiB457EDKVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK0.049 at VGS = - 2.5 V - 9a- 20 13 nCSC-75 Package0.079 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small Footprint Area

9.3. Size:218K vishay
sib456dk.pdf

New Product SiB456DKwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATRUESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A)a Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-750.185 at VGS = 10 V 6.3Package100 1.8 nC0.310 at VGS = 4.5 V 4.9- Small Footprint Area- Low On-Resistance 100 % Rg and UIS TestedPowerPAK SC-75-

9.4. Size:135K vishay
sib455ed sib455edk.pdf

New ProductSiB455EDKVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.039 at VGS = - 2.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK- 12 11.3 nCSC-75 Package0.069 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small F

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Liste

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