SIB452DK datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIB452DK 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 190 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.67 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: SC-75-6L
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для SIB452DK
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIB452DK даташит
sib452dk.pdf
New Product SiB452DK Vishay Siliconix N-Channel 190-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 2.4 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 2.6 at VGS = 2.5 V 190 1.48 2.3 nC SC-75 Package COMPLIANT 6.0 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area 0.4 - Low On-Resistance APPLI
sib457ed.pdf
New Product SiB457EDK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET 0.049 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK - 9a - 20 13 nC SC-75 Package 0.072 at VGS = - 1.8 V - 9a - Small F
sib457edk.pdf
SiB457EDK Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK 0.049 at VGS = - 2.5 V - 9a - 20 13 nC SC-75 Package 0.079 at VGS = - 1.8 V - 9a - Small Footprint Area
sib456dk.pdf
New Product SiB456DK www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATRUES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A)a Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 0.185 at VGS = 10 V 6.3 Package 100 1.8 nC 0.310 at VGS = 4.5 V 4.9 - Small Footprint Area - Low On-Resistance 100 % Rg and UIS Tested PowerPAK SC-75-
Другие IGBT... SIB417AEDK, SIB417DK, SIB417EDK, SIB419DK, SIB422EDK, SIB433EDK, SIB437EDKT, SIB441EDK, 2SK3878, SIB455EDK, SIB456DK, SIB457EDK, SIB488DK, SIB800EDK, SIB911DK, SIB912DK, SIB914DK
History: SIB441EDK | SIB419DK
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor





