SIB455EDK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIB455EDK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SC-75-6L

 Búsqueda de reemplazo de SIB455EDK MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIB455EDK datasheet

 ..1. Size:135K  vishay
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SIB455EDK

New Product SiB455EDK Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.027 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET 0.039 at VGS = - 2.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK - 12 11.3 nC SC-75 Package 0.069 at VGS = - 1.8 V - 9a - Small F

 9.1. Size:229K  vishay
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SIB455EDK

New Product SiB457EDK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET 0.049 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK - 9a - 20 13 nC SC-75 Package 0.072 at VGS = - 1.8 V - 9a - Small F

 9.2. Size:224K  vishay
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SIB455EDK

New Product SiB452DK Vishay Siliconix N-Channel 190-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 2.4 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 2.6 at VGS = 2.5 V 190 1.48 2.3 nC SC-75 Package COMPLIANT 6.0 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area 0.4 - Low On-Resistance APPLI

 9.3. Size:207K  vishay
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SIB455EDK

SiB457EDK Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK 0.049 at VGS = - 2.5 V - 9a - 20 13 nC SC-75 Package 0.079 at VGS = - 1.8 V - 9a - Small Footprint Area

Otros transistores... SIB417DK, SIB417EDK, SIB419DK, SIB422EDK, SIB433EDK, SIB437EDKT, SIB441EDK, SIB452DK, STP75NF75, SIB456DK, SIB457EDK, SIB488DK, SIB800EDK, SIB911DK, SIB912DK, SIB914DK, SIE726DF