SIB455EDK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIB455EDK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SC-75-6L

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIB455EDK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB455EDK даташит

 ..1. Size:135K  vishay
 sib455ed sib455edk.pdf pdf_icon

SIB455EDK

New Product SiB455EDK Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.027 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET 0.039 at VGS = - 2.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK - 12 11.3 nC SC-75 Package 0.069 at VGS = - 1.8 V - 9a - Small F

 9.1. Size:229K  vishay
 sib457ed.pdf pdf_icon

SIB455EDK

New Product SiB457EDK Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET 0.049 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK - 9a - 20 13 nC SC-75 Package 0.072 at VGS = - 1.8 V - 9a - Small F

 9.2. Size:224K  vishay
 sib452dk.pdf pdf_icon

SIB455EDK

New Product SiB452DK Vishay Siliconix N-Channel 190-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 2.4 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 2.6 at VGS = 2.5 V 190 1.48 2.3 nC SC-75 Package COMPLIANT 6.0 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area 0.4 - Low On-Resistance APPLI

 9.3. Size:207K  vishay
 sib457edk.pdf pdf_icon

SIB455EDK

SiB457EDK Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK 0.049 at VGS = - 2.5 V - 9a - 20 13 nC SC-75 Package 0.079 at VGS = - 1.8 V - 9a - Small Footprint Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIB417DK, SIB417EDK, SIB419DK, SIB422EDK, SIB433EDK, SIB437EDKT, SIB441EDK, SIB452DK, STP75NF75, SIB456DK, SIB457EDK, SIB488DK, SIB800EDK, SIB911DK, SIB912DK, SIB914DK, SIE726DF