SIB457EDK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIB457EDK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIB457EDK

SIB457EDK Datasheet (PDF)

..1. Size:207K vishay
sib457edk.pdf

SiB457EDKVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK0.049 at VGS = - 2.5 V - 9a- 20 13 nCSC-75 Package0.079 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small Footprint Area

6.1. Size:229K vishay
sib457ed.pdf

New ProductSiB457EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.049 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 9a- 20 13 nCSC-75 Package0.072 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small F

9.1. Size:224K vishay
sib452dk.pdf

New ProductSiB452DKVishay SiliconixN-Channel 190-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET2.4 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS2.6 at VGS = 2.5 V 190 1.48 2.3 nCSC-75 Package COMPLIANT6.0 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area0.4- Low On-ResistanceAPPLI

9.2. Size:218K vishay
sib456dk.pdf

New Product SiB456DKwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATRUESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A)a Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-750.185 at VGS = 10 V 6.3Package100 1.8 nC0.310 at VGS = 4.5 V 4.9- Small Footprint Area- Low On-Resistance 100 % Rg and UIS TestedPowerPAK SC-75-

9.3. Size:135K vishay
sib455ed sib455edk.pdf

New ProductSiB455EDKVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.039 at VGS = - 2.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK- 12 11.3 nCSC-75 Package0.069 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small F

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: