Справочник MOSFET. SIB457EDK

 

SIB457EDK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIB457EDK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L

 Аналог (замена) для SIB457EDK

 

 

SIB457EDK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  vishay
 sib457edk.pdf

SIB457EDK SIB457EDK

SiB457EDKVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK0.049 at VGS = - 2.5 V - 9a- 20 13 nCSC-75 Package0.079 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small Footprint Area

 6.1. Size:229K  vishay
 sib457ed.pdf

SIB457EDK SIB457EDK

New ProductSiB457EDKVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.049 at VGS = - 2.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK- 9a- 20 13 nCSC-75 Package0.072 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small F

 9.1. Size:224K  vishay
 sib452dk.pdf

SIB457EDK SIB457EDK

New ProductSiB452DKVishay SiliconixN-Channel 190-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET2.4 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS2.6 at VGS = 2.5 V 190 1.48 2.3 nCSC-75 Package COMPLIANT6.0 at VGS = 1.8 V - Small Footprint Area0.4- Low On-ResistanceAPPLI

 9.2. Size:218K  vishay
 sib456dk.pdf

SIB457EDK SIB457EDK

New Product SiB456DKwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATRUESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A)a Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-750.185 at VGS = 10 V 6.3Package100 1.8 nC0.310 at VGS = 4.5 V 4.9- Small Footprint Area- Low On-Resistance 100 % Rg and UIS TestedPowerPAK SC-75-

 9.3. Size:135K  vishay
 sib455ed sib455edk.pdf

SIB457EDK SIB457EDK

New ProductSiB455EDKVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = - 4.5 V - 9a TrenchFET Power MOSFET0.039 at VGS = - 2.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK- 12 11.3 nCSC-75 Package0.069 at VGS = - 1.8 V - 9a- Small F

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top