SIE806DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIE806DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: POLARPAK

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SIE806DF datasheet

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SIE806DF

SiE806DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0017 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-Sided 202 60 30 75 nC Cooling 0.0021

 9.1. Size:187K  vishay
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SIE806DF

SiE808DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition TrenchFET Gen II Power MOSFET Silicon Package VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double- 0.0016 at VGS = 10 V 220 60 Sided Cooling 20 46 nC 0.0

 9.2. Size:164K  vishay
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SIE806DF

SiE800DF Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package Extremely Low Qgd for Low Switching Losses VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0072 at VGS = 10 V 90 50 30 12 nC Exposed PolarPAK P

 9.3. Size:181K  vishay
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SIE806DF

New Product SiE804DF Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.038 at VGS = 10 V Ultra Low Thermal Resistance Using 37 150 46 nC Top-Exposed PolarPAK Package for 0.040 at VGS = 6 V 36 Double-Sided Cooling Leadframe-Based

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