SIE808DF Todos los transistores

 

SIE808DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIE808DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 215 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
 

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SIE808DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  vishay
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SIE808DF

SiE808DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0016 at VGS = 10 V 220 60Sided Cooling20 46 nC0.0

 9.1. Size:187K  vishay
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SIE808DF

SiE806DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0017 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-Sided202 6030 75 nCCooling0.0021

 9.2. Size:164K  vishay
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SIE808DF

SiE800DFVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd for Low Switching LossesVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0072 at VGS = 10 V 905030 12 nCExposed PolarPAK P

 9.3. Size:181K  vishay
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SIE808DF

New ProductSiE804DFVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.038 at VGS = 10 V Ultra Low Thermal Resistance Using 37150 46 nCTop-Exposed PolarPAK Package for 0.040 at VGS = 6 V 36Double-Sided Cooling Leadframe-Based

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History: KI2304DS | HSU80N03

 

 
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