SIE808DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE808DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 215 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE808DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE808DF даташит

 ..1. Size:187K  vishay
 sie808df.pdf pdf_icon

SIE808DF

SiE808DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition TrenchFET Gen II Power MOSFET Silicon Package VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double- 0.0016 at VGS = 10 V 220 60 Sided Cooling 20 46 nC 0.0

 9.1. Size:187K  vishay
 sie806df.pdf pdf_icon

SIE808DF

SiE806DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0017 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-Sided 202 60 30 75 nC Cooling 0.0021

 9.2. Size:164K  vishay
 sie800df.pdf pdf_icon

SIE808DF

SiE800DF Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package Extremely Low Qgd for Low Switching Losses VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0072 at VGS = 10 V 90 50 30 12 nC Exposed PolarPAK P

 9.3. Size:181K  vishay
 sie804df.pdf pdf_icon

SIE808DF

New Product SiE804DF Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.038 at VGS = 10 V Ultra Low Thermal Resistance Using 37 150 46 nC Top-Exposed PolarPAK Package for 0.040 at VGS = 6 V 36 Double-Sided Cooling Leadframe-Based

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIB911DK, SIB912DK, SIB914DK, SIE726DF, SIE800DF, SIE802DF, SIE804DF, SIE806DF, AON7410, SIE810DF, SIE812DF, SIE816DF, SIE818DF, SIE820DF, SIE822DF, SIE830DF, SIE832DF