Справочник MOSFET. SIE808DF

 

SIE808DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE808DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 215 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE808DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  vishay
 sie808df.pdf pdf_icon

SIE808DF

SiE808DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0016 at VGS = 10 V 220 60Sided Cooling20 46 nC0.0

 9.1. Size:187K  vishay
 sie806df.pdf pdf_icon

SIE808DF

SiE806DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0017 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-Sided202 6030 75 nCCooling0.0021

 9.2. Size:164K  vishay
 sie800df.pdf pdf_icon

SIE808DF

SiE800DFVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd for Low Switching LossesVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0072 at VGS = 10 V 905030 12 nCExposed PolarPAK P

 9.3. Size:181K  vishay
 sie804df.pdf pdf_icon

SIE808DF

New ProductSiE804DFVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.038 at VGS = 10 V Ultra Low Thermal Resistance Using 37150 46 nCTop-Exposed PolarPAK Package for 0.040 at VGS = 6 V 36Double-Sided Cooling Leadframe-Based

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIB911DK , SIB912DK , SIB914DK , SIE726DF , SIE800DF , SIE802DF , SIE804DF , SIE806DF , 5N60 , SIE810DF , SIE812DF , SIE816DF , SIE818DF , SIE820DF , SIE822DF , SIE830DF , SIE832DF .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.