Справочник MOSFET. SIE808DF

 

SIE808DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIE808DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 102 nC
   trⓘ - Время нарастания: 215 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK

 Аналог (замена) для SIE808DF

 

 

SIE808DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  vishay
 sie808df.pdf

SIE808DF SIE808DF

SiE808DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0016 at VGS = 10 V 220 60Sided Cooling20 46 nC0.0

 9.1. Size:187K  vishay
 sie806df.pdf

SIE808DF SIE808DF

SiE806DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0017 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-Sided202 6030 75 nCCooling0.0021

 9.2. Size:164K  vishay
 sie800df.pdf

SIE808DF SIE808DF

SiE800DFVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd for Low Switching LossesVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0072 at VGS = 10 V 905030 12 nCExposed PolarPAK P

 9.3. Size:181K  vishay
 sie804df.pdf

SIE808DF SIE808DF

New ProductSiE804DFVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.038 at VGS = 10 V Ultra Low Thermal Resistance Using 37150 46 nCTop-Exposed PolarPAK Package for 0.040 at VGS = 6 V 36Double-Sided Cooling Leadframe-Based

 9.4. Size:187K  vishay
 sie802df.pdf

SIE808DF SIE808DF

SiE802DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-Sided0.0019 at VGS = 10 V 202 60Cooling30 50 nC0.002

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STF20NF20 | STF34NM60ND

 

 
Back to Top