SIE816DF Todos los transistores

 

SIE816DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIE816DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0074 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
 

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SIE816DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  vishay
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SIE816DF

New ProductSiE816DFVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0074 at VGS = 10 V 60 95 60 51 nCSided Cooling

 9.1. Size:187K  vishay
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SIE816DF

SiE810DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0014 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-236 60Sided Cooling0.0016 at VGS =

 9.2. Size:186K  vishay
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SIE816DF

SiE812DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-Sided0.0026 at VGS = 10 V 163 60Cooling40 52 nC

 9.3. Size:186K  vishay
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SIE816DF

SiE818DFVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinition TrenchFET Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0095 at VGS = 10 V 79 6075 33 nC Sided Cooling0.0125 at VGS

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History: IXFT70N30Q3 | SPW20N60C3 | 6N60KL-TA3-T | AUIRFR2307ZTR | BRCS250N10SDP | 36N06 | 2SK2074

 

 
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