Справочник MOSFET. SIE816DF

 

SIE816DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE816DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE816DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  vishay
sie816df.pdfpdf_icon

SIE816DF

New ProductSiE816DFVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0074 at VGS = 10 V 60 95 60 51 nCSided Cooling

 9.1. Size:187K  vishay
sie810df.pdfpdf_icon

SIE816DF

SiE810DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0014 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-236 60Sided Cooling0.0016 at VGS =

 9.2. Size:186K  vishay
sie812df.pdfpdf_icon

SIE816DF

SiE812DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-Sided0.0026 at VGS = 10 V 163 60Cooling40 52 nC

 9.3. Size:186K  vishay
sie818df.pdfpdf_icon

SIE816DF

SiE818DFVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinition TrenchFET Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0095 at VGS = 10 V 79 6075 33 nC Sided Cooling0.0125 at VGS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.