SIE816DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIE816DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm
Тип корпуса: POLARPAK
Аналог (замена) для SIE816DF
SIE816DF Datasheet (PDF)
sie816df.pdf

New ProductSiE816DFVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0074 at VGS = 10 V 60 95 60 51 nCSided Cooling
sie810df.pdf

SiE810DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0014 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-236 60Sided Cooling0.0016 at VGS =
sie812df.pdf

SiE812DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-Sided0.0026 at VGS = 10 V 163 60Cooling40 52 nC
sie818df.pdf

SiE818DFVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinition TrenchFET Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0095 at VGS = 10 V 79 6075 33 nC Sided Cooling0.0125 at VGS
Другие MOSFET... SIE726DF , SIE800DF , SIE802DF , SIE804DF , SIE806DF , SIE808DF , SIE810DF , SIE812DF , IRF530 , SIE818DF , SIE820DF , SIE822DF , SIE830DF , SIE832DF , SIE836DF , SIE844DF , SIE848DF .
History: BSZ900N20NS3G | 2SK2469-01MR | BRB10N65 | FDZ7296 | SM600R65CT2TL | NCEP40T17G | FDV303NNB9U008
History: BSZ900N20NS3G | 2SK2469-01MR | BRB10N65 | FDZ7296 | SM600R65CT2TL | NCEP40T17G | FDV303NNB9U008



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor