SIE816DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE816DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE816DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE816DF даташит

 ..1. Size:200K  vishay
 sie816df.pdf pdf_icon

SIE816DF

New Product SiE816DF Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double- 0.0074 at VGS = 10 V 60 95 60 51 nC Sided Cooling

 9.1. Size:187K  vishay
 sie810df.pdf pdf_icon

SIE816DF

SiE810DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0014 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double- 236 60 Sided Cooling 0.0016 at VGS =

 9.2. Size:186K  vishay
 sie812df.pdf pdf_icon

SIE816DF

SiE812DF Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition TrenchFET Gen II Power MOSFET Silicon Package VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double-Sided 0.0026 at VGS = 10 V 163 60 Cooling 40 52 nC

 9.3. Size:186K  vishay
 sie818df.pdf pdf_icon

SIE816DF

SiE818DF Vishay Siliconix N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition TrenchFET Power MOSFET Silicon Package VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double- 0.0095 at VGS = 10 V 79 60 75 33 nC Sided Cooling 0.0125 at VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIE726DF, SIE800DF, SIE802DF, SIE804DF, SIE806DF, SIE808DF, SIE810DF, SIE812DF, IRF1010E, SIE818DF, SIE820DF, SIE822DF, SIE830DF, SIE832DF, SIE836DF, SIE844DF, SIE848DF