SIE836DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIE836DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: POLARPAK

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SIE836DF datasheet

 ..1. Size:212K  vishay
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SIE836DF

New Product SiE836DF Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.130 at VGS = 10 V 200 18.3 27 nC TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Cooling Package Drawing Leadframe-Ba

 9.1. Size:176K  vishay
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SIE836DF

SiE830DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package Extremely Low Qgd WFET Technology for VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Low Switching Losses Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0042 at VGS = 10 V 120 50 30 33 nC Exposed PolarPAK Package for

 9.2. Size:175K  vishay
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SIE836DF

SiE832DF Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0055 at VGS = 10 V 103 Exposed PolarPAK Package for Double- 50 40 25 nC Sided Cooling 0.007 at VG

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