SIE848DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIE848DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: POLARPAK

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SIE848DF datasheet

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SIE848DF

New Product SiE848DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double- 0.0016 at VGS = 10 V 211 60 30 43 nC Sided

 9.1. Size:203K  vishay
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SIE848DF

New Product SiE844DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.007 at VGS = 10 V 44.5 TrenchFET Gen II Power MOSFET 30 13.1 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.010 at VGS = 4.5 V 37.3 Exposed PolarPAK Package for Double- Sided Coo

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