SIE874DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIE874DF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00117 Ohm
Paquete / Cubierta: POLARPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIE874DF
SIE874DF Datasheet (PDF)
sie874df.pdf
New ProductSiE874DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.00117 at VGS = 10 V 258 6020 45 nCDouble-Sid
sie876df.pdf
New ProductSiE876DFVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0061 at VGS = 10 V 60 110 60 51 nCExposed PolarPAK Package for Double-Sided Cooling
sie878df.pdf
New ProductSiE878DFVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0052 at VGS = 10 V 45 TrenchFET Gen III Power MOSFET25 11.2 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0068 at VGS = 4.5 V 45Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Coo
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