SIE876DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIE876DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm

Encapsulados: POLARPAK

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SIE876DF datasheet

 ..1. Size:198K  vishay
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SIE876DF

New Product SiE876DF Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0061 at VGS = 10 V 60 110 60 51 nC Exposed PolarPAK Package for Double- Sided Cooling

 9.1. Size:113K  vishay
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SIE876DF

New Product SiE874DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.00117 at VGS = 10 V 258 60 20 45 nC Double-Sid

 9.2. Size:182K  vishay
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SIE876DF

New Product SiE878DF Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0052 at VGS = 10 V 45 TrenchFET Gen III Power MOSFET 25 11.2 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0068 at VGS = 4.5 V 45 Exposed PolarPAK Package for Double- Sided Coo

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