SIE876DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIE876DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 51 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIE876DF

SIE876DF Datasheet (PDF)

..1. Size:198K vishay
sie876df.pdf

New ProductSiE876DFVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0061 at VGS = 10 V 60 110 60 51 nCExposed PolarPAK Package for Double-Sided Cooling

9.1. Size:113K vishay
sie874df.pdf

New ProductSiE874DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.00117 at VGS = 10 V 258 6020 45 nCDouble-Sid

9.2. Size:182K vishay
sie878df.pdf

New ProductSiE878DFVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0052 at VGS = 10 V 45 TrenchFET Gen III Power MOSFET25 11.2 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0068 at VGS = 4.5 V 45Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Coo

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Liste

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