SIHD6N65E Todos los transistores

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SIHD6N65E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHD6N65E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 24 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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SIHD6N65E Datasheet (PDF)

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SiHD6N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 • Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.6 • Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 48 • Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 • Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 11 • Mat

3.1. sihd6n62e.pdf Size:233K _upd-mosfet

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SiHD6N62E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 • Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.9 • Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 34 • Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 • Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 8 • Mate

 

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