SIHD6N65E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHD6N65E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-252
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SIHD6N65E Datasheet (PDF)
1.1. sihd6n65e.pdf 
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SiHD6N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 • Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.6 • Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 48 • Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 • Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 11 • Mat
3.1. sihd6n62e.pdf Size:233K _upd-mosfet
SiHD6N62E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 • Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.9 • Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 34 • Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 • Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 8 • Mate
Otros transistores... SIHB33N60EF , SIHB6N65E , SIHB8N50D , SIHD12N50E , SIHD3N50D , SIHD3N50DA , SIHD5N50D , SIHD6N62E , 2SK2837 , SIHD7N60E , SIHF10N40D , SIHF12N50C , SIHF12N60E , SIHF12N65E , SIHF15N60E , SIHF15N65E , SIHF16N50C .
