SIHD6N65E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHD6N65E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SIHD6N65E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIHD6N65E datasheet

 ..1. Size:195K  vishay
 sihd6n65e.pdf pdf_icon

SIHD6N65E

SiHD6N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 11 Mat

 7.1. Size:233K  vishay
 sihd6n62e.pdf pdf_icon

SIHD6N65E

SiHD6N62E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 34 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 8 Mate

Otros transistores... SIHB33N60EF, SIHB6N65E, SIHB8N50D, SIHD12N50E, SIHD3N50D, SIHD3N50DA, SIHD5N50D, SIHD6N62E, 2SK2842, SIHD7N60E, SIHF10N40D, SIHF12N50C, SIHF12N60E, SIHF12N65E, SIHF15N60E, SIHF15N65E, SIHF16N50C