Справочник MOSFET. SIHD6N65E

 

SIHD6N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHD6N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SIHD6N65E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHD6N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  vishay
 sihd6n65e.pdf pdf_icon

SIHD6N65E

SiHD6N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 11 Mat

 7.1. Size:233K  vishay
 sihd6n62e.pdf pdf_icon

SIHD6N65E

SiHD6N62Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 34 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 4 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 8 Mate

Другие MOSFET... SIHB33N60EF , SIHB6N65E , SIHB8N50D , SIHD12N50E , SIHD3N50D , SIHD3N50DA , SIHD5N50D , SIHD6N62E , IRFP064N , SIHD7N60E , SIHF10N40D , SIHF12N50C , SIHF12N60E , SIHF12N65E , SIHF15N60E , SIHF15N65E , SIHF16N50C .

 

 
Back to Top

 


 
.