Справочник MOSFET. SIHD6N65E

 

SIHD6N65E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SIHD6N65E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 24 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 40 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SIHD6N65E

 

 

SIHD6N65E Datasheet (PDF)

1.1. sihd6n65e.pdf Size:195K _upd-mosfet

SIHD6N65E SIHD6N65E

SiHD6N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 • Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.6 • Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 48 • Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 • Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 11 • Mat

3.1. sihd6n62e.pdf Size:233K _upd-mosfet

SIHD6N65E SIHD6N65E

SiHD6N62E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 • Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.9 • Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 34 • Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 • Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 8 • Mate

 

Другие MOSFET... SIHB33N60EF , SIHB6N65E , SIHB8N50D , SIHD12N50E , SIHD3N50D , SIHD3N50DA , SIHD5N50D , SIHD6N62E , 2SK2837 , SIHD7N60E , SIHF10N40D , SIHF12N50C , SIHF12N60E , SIHF12N65E , SIHF15N60E , SIHF15N65E , SIHF16N50C .

Back to Top