SIHF10N40D Todos los transistores

 

SIHF10N40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHF10N40D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIHF10N40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  vishay
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SIHF10N40D

SiHF10N40Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 450- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 30- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 4 - High Body Diode Ruggedness- Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 7

 9.1. Size:292K  vishay
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SIHF10N40D

SiHP16N50C, SiHB16N50C, SiHF16N50Cwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560RDS(on) ()VGS = 10 V 0.38 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 68 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 17.6 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 21.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220A

 9.2. Size:160K  vishay
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SIHF10N40D

SiHF15N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700Available Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.28 Reduced switching and conduction lossesAvailableQg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (U

 9.3. Size:134K  vishay
 sihf12n65e.pdf pdf_icon

SIHF10N40D

SiHF12N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 70 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 9 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 16 M

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