SIHF12N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHF12N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 33 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 29 nC
Tiempo de elevación (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 53 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.38 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHF12N60E
SIHF12N60E Datasheet (PDF)
1.1. sihf12n60e.pdf 
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SiHF12N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 • Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C () VGS = 10 V 0.38 • Reduced Switching and Conduction Losses Qg max. (nC) 58 • Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 6 • Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd (nC) 13 •
2.1. sihf12n65e.pdf Size:134K _upd-mosfet
SiHF12N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 • Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.38 • Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 70 • Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 9 • Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 16 • M
3.1. sihb12n50c sihf12n50c.pdf Size:179K _upd-mosfet
SiHP12N50C, SiHB12N50C, SiHF12N50C Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low Figure-of-Merit Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 560 V RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.555 • 100 % Avalanche Tested Qg (Max.) (nC) 48 • Gate Charge Improved Qgs (nC) 12 • Trr/Qrr Improved Qgd (nC) 15 Configuration Single • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-220AB TO-220 FULLPAK
3.2. sihp12n50c sihb12n50c sihf12n50c.pdf Size:154K _vishay
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