IRF7410PBF Todos los transistores

 

IRF7410PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7410PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2344 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF7410PBF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF7410PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  international rectifier
 irf7410pbf.pdf pdf_icon

IRF7410PBF

PD - 96028BIRF7410PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16Al Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6Al Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5Al Lead-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques

 0.1. Size:195K  international rectifier
 irf7410pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7410PBF

IRF7410TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -12 VA1 8S DRDS(on) max 72 7(@V = -4.5V) DGS SRDS(on) max 3 6S9 m D(@V = -2.5V)GS4 5G DRDS(on) max 13(@V = -1.8V)GSSO-8Top ViewQg (typical) 91 nCID -16 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount T

 7.1. Size:208K  international rectifier
 irf7410gpbf.pdf pdf_icon

IRF7410PBF

PD - 96247IRF7410GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16Al Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6Al Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5Al Lead-Freel Halogen-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing

 7.2. Size:102K  international rectifier
 irf7410.pdf pdf_icon

IRF7410PBF

PD - 94025IRF7410HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16A Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6A Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5ADescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques to achieve the extrem

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF740ASPBF , IRF740B , IRF740LC , IRF740LCPBF , IRF740PBF , IRF740SPBF , IRF7410GPBF , IRF7410PBF-1 , 7N65 , IRF7413GPBF , IRF7413PBF , IRF7413PBF-1 , IRF7413QPBF , IRF7413ZGPBF , IRF7413ZPBF , IRF7416GPBF , IRF7416PBF .

History: SSF6NS70G | IRF7309Q | IRLZ14SPBF | IPP041N12N3G | SI5513CDC | RU304B | IRFB11N50APBF

 

 
Back to Top

 


 
.