IRF7420PBF-1 Todos los transistores

 

IRF7420PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7420PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1013 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7420PBF-1

 

IRF7420PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  international rectifier
irf7420pbf-1.pdf

IRF7420PBF-1
IRF7420PBF-1

IRF7420PbF-1HEXFET Power MOSFETA1 8VDS -12 VS DRDS(on) max 2 7S D14 m(@V = -4.5V)GS3 6S DRDS(on) max 17.5 m4 5(@V = -2.5V)GS G DRDS(on) max 26 mSO-8Top View(@V = -1.8V)GSQg (typical) 38 nCID -11.5 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Sur

 4.1. Size:153K  international rectifier
irf7420pbf.pdf

IRF7420PBF-1
IRF7420PBF-1

PD - 95633AIRF7420PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 14m@VGS = -4.5V -11.5Al Surface Mount17.5m@VGS = -2.5V -9.8Al Available in Tape & Reel26m@VGS = -1.8V -8.1Al Lead-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniq

 4.2. Size:153K  infineon
irf7420pbf.pdf

IRF7420PBF-1
IRF7420PBF-1

PD - 95633AIRF7420PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 14m@VGS = -4.5V -11.5Al Surface Mount17.5m@VGS = -2.5V -9.8Al Available in Tape & Reel26m@VGS = -1.8V -8.1Al Lead-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniq

 7.1. Size:103K  international rectifier
irf7420.pdf

IRF7420PBF-1
IRF7420PBF-1

PD - 94278IRF7420HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 14m@VGS = -4.5V -11.5A Surface Mount17.5m@VGS = -2.5V -9.8A Available in Tape & Reel26m@VGS = -1.8V -8.1ADescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques to achieve the ex

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


IRF7420PBF-1
  IRF7420PBF-1
  IRF7420PBF-1
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top