IRF7420PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7420PBF-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1013 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7420PBF-1
IRF7420PBF-1 Datasheet (PDF)
irf7420pbf-1.pdf
IRF7420PbF-1HEXFET Power MOSFETA1 8VDS -12 VS DRDS(on) max 2 7S D14 m(@V = -4.5V)GS3 6S DRDS(on) max 17.5 m4 5(@V = -2.5V)GS G DRDS(on) max 26 mSO-8Top View(@V = -1.8V)GSQg (typical) 38 nCID -11.5 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Sur
irf7420pbf.pdf
PD - 95633AIRF7420PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 14m@VGS = -4.5V -11.5Al Surface Mount17.5m@VGS = -2.5V -9.8Al Available in Tape & Reel26m@VGS = -1.8V -8.1Al Lead-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniq
irf7420pbf.pdf
PD - 95633AIRF7420PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 14m@VGS = -4.5V -11.5Al Surface Mount17.5m@VGS = -2.5V -9.8Al Available in Tape & Reel26m@VGS = -1.8V -8.1Al Lead-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniq
irf7420.pdf
PD - 94278IRF7420HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 14m@VGS = -4.5V -11.5A Surface Mount17.5m@VGS = -2.5V -9.8A Available in Tape & Reel26m@VGS = -1.8V -8.1ADescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques to achieve the ex
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918